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論文

Electronic excitation effects on defect production and radiation annealing in Fe irradiated at$$sim$$80K with energetic particles

知見 康弘; 岩瀬 彰宏; 石川 法人

Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 504, p.221 - 226, 1998/00

従来、金属の照射損傷は入射粒子とターゲット原子との間の弾性的相互作用のみで起こると考えられてきたが、最近十年間で、高エネルギー($$sim$$100MeV)重イオン照射による高密度電子励起に起因する原子変位がFCC金属結晶中で起こりうることが発見された。また、BCC金属である鉄をGeVイオンで照射したときにも原子変位が観測されている。今回は、$$sim$$100MeV領域の重イオン、$$sim$$1MeV領域のイオン及び2MeV電子線を鉄薄膜に低温照射して格子欠陥を導入し、そのときの電気抵抗変化をその場観測した。各照射での欠陥蓄積挙動の違いから照射中の欠陥生成及び欠陥消滅における電子励起効果を評価した。その結果、高エネルギー重イオン照射において高密度電子励起によると思われる欠陥生成及び消滅(照射アニーリング)が観測された。

論文

Defect production and annealing in high-Tc superconductor EuBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$Oy irradiated with energetic ions at low temperature

石川 法人; 知見 康弘; 岩瀬 彰宏; 鶴 浩二*; 道上 修*

Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 504, p.171 - 175, 1998/00

高温超伝導体EuBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$Oyに100Kにおいてあらゆるイオン(Cl,Ni,Br,I,90-200MeV)を照射し、電気抵抗率の照射量依存性をその場測定した。その結果、Cl,Niイオン照射した時には、抵抗率は、照射量の増加に伴い飽和傾向を示し、Br,I照射の時には、発散傾向を示した。これらの曲線の違いを、試料に導入された粒状の抵抗率の高い領域を仮定することによって、統一的に説明することができた。

論文

Vanadium oxide precipitates in sapphire formed by ion implantation

阿部 弘亨; 楢本 洋; 山本 春也

Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 504, p.393 - 398, 1998/00

バナジウム酸化物には、電気的光学的に興味深い物性を示すものがあり、デバイス等への応用が期待されている。以前より高温における焼鈍による微粒子形成が報告されているが、本研究では高温イオン注入法を用いて、バナジウム酸化物相(微格子)形成を試みた。加速器結合型電顕内でのイオン注入により、照射損傷の蓄積、ボイドの形成が確認された。注入量10$$^{21}$$ions/m$$^{2}$$以上で酸化物微粒子形成が観察された。微粒子と母相との結晶学的関係、スウェリング量(格子定数の増減)が明らかにされた。観察された酸化物のうち一部は低温相で、実験で用いられた温度範囲内では、熱平衡状態下で存在しない物質であった。

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